1206封装尺寸对应二极管SOD-123封装0805封装尺寸对应二极管SOD-323封装0603封装尺寸对应二极管SOD-523和SOT-523封装0402封装尺寸对应二极管DFN1006-2L封装0201封装尺寸对应二极管DFN0603封装

1、NPN、PNP三极管用作开关的基本电路2、负载位置为什么不管是NPN还是PNP，电路对应的负载要放到集电极C，而没有放到发射极E呢？因为三极管的输入回路是从基级B控制发射极E，负载如果放到发射极E，那就会对输入回路造成影响。比如说，Ube>0.7V可以导通，但是由于负载接到了发射极E和GND之间，那么仍然想导通的话B点的电位就不止0.7V了，因为负载也会产生压降。3、三极管的状态3.1、三极管的三种工作状态截止区：发射结反偏，集电结反偏；Ib=0，Ic也几乎为0； 放大区：发射结正偏，集电结反偏；Ube>0.7V，Ic=βIb，Ic的电流受Ib的控制；饱和区：发射结正偏，集电结正偏；Ic受

对于CMOS管，电压电流关系如下： 不过gm的两段论还是粗浅了，在深亚微米的工艺下，CMOS不仅工作在饱和区和线性区，还有可能工作在亚阈值区和深三极管区。亚阈值区（即second-effectorder效应中的subthresholdconduction）是CMOS器件在现实中并不会像理想情况那样，在Vgs根据Razavi的书上来说，在Vds大于100mV左右时，亚阈值区的ID和Vgs表现出指数关系， 其中I0正比如W/L，也就是aspectration， ξ 是非理想常数，VT=KT/q。此时跨导为这里有个两个问题：第一个问题：在饱和区如果固定流过管子的电流ID和栅长L，只增加栅宽W，gm会

用作开关时三极管的状态三极管被用作开关时，应使其关闭时工作在截止区，此时几乎无电流通过，处于断电状态；开启时工作在饱和区，饱和区时三极管压降很小，相当于电路接通。截止区对于NPN三极管来说,截止即意味着Vbe（0.3V）小于Vth（约为1.2V），此时三极管集电极和发射极之间相当于是彻底断开，电阻为无穷大，所以此时电压全部在三极管上，且因为没有导通，所以无论是基极还是集电极和发射极都是没有电流的。此时正对应着开关中的关闭状态，只要控制给基极施加的电压使Vbe小于Vth，便可以实现集电极和发射极的断开。饱和区对于NPN三极管来说，饱和意味着Vbe（3.3V）大于Vth（约为1.2V），并且当基极

用作开关时三极管的状态三极管被用作开关时，应使其关闭时工作在截止区，此时几乎无电流通过，处于断电状态；开启时工作在饱和区，饱和区时三极管压降很小，相当于电路接通。截止区对于NPN三极管来说,截止即意味着Vbe（0.3V）小于Vth（约为1.2V），此时三极管集电极和发射极之间相当于是彻底断开，电阻为无穷大，所以此时电压全部在三极管上，且因为没有导通，所以无论是基极还是集电极和发射极都是没有电流的。此时正对应着开关中的关闭状态，只要控制给基极施加的电压使Vbe小于Vth，便可以实现集电极和发射极的断开。饱和区对于NPN三极管来说，饱和意味着Vbe（3.3V）大于Vth（约为1.2V），并且当基极

NMOS和PMOS电流流向以及导通条件PMOS，SOT-23-3封装引脚导通条件NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）；PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS有一定的压差，一般为-5~-10V

晶体管是一个简单的元器件，可用于构建许多有趣的项目。在本文中，我将用通俗易懂的语言给您讲解晶体管的工作原理，以便您可以在电路设计中更好的使用静态管。一旦你学习这些基础知识，对以后的设计和使用来说，将会变得非常容易。我们将重点介绍两种最常见的晶体管：双极型晶体管（三极管）和MOSFET。晶体管的工作原理其实是类似于电子开关。它可以打开和关闭电路。一个简单的思考方法是将晶体管视为无源的继电器。晶体管类似于继电器，从某种意义上说，您可以使用它来打开和关闭某些东西。但晶体管也可以部分导通，一般在放大电路中使用，这部分内容不是本文讲解的重点。三极管的工作原理（BJT）让我们从经典的NPN三极管开始。它是

晶体管是一个简单的元器件，可用于构建许多有趣的项目。在本文中，我将用通俗易懂的语言给您讲解晶体管的工作原理，以便您可以在电路设计中更好的使用静态管。一旦你学习这些基础知识，对以后的设计和使用来说，将会变得非常容易。我们将重点介绍两种最常见的晶体管：双极型晶体管（三极管）和MOSFET。晶体管的工作原理其实是类似于电子开关。它可以打开和关闭电路。一个简单的思考方法是将晶体管视为无源的继电器。晶体管类似于继电器，从某种意义上说，您可以使用它来打开和关闭某些东西。但晶体管也可以部分导通，一般在放大电路中使用，这部分内容不是本文讲解的重点。三极管的工作原理（BJT）让我们从经典的NPN三极管开始。它是

最近偶然看到PMOS防反接电路，感觉挺实用的，做个记录。软件：LTspice二极管串联以常用的5V/2A为例。常用二极管串联在电路中，在电源反接时，二极管承担所有的电压，有效防止电源反接损坏后级设备。但是，二极管上压降较大，损耗较高。使用肖特基二极管可以减小损耗，但是仍对电路有较大影响，特别是在电源电压更低的情况下。反并二极管+保险丝使用反并二极管+保险丝，正常运行时基本没有损耗。在电源反接时，电源侧接近短路，保险丝熔断，从而实现保护。反接发生后，二极管和保险丝一般都需要更换。并且，输入反接时产生一个负压，后级设备还是有可能损坏。PMOS防反接电路基本电路基本的PMOS防反接电路，利用PMOS

最近偶然看到PMOS防反接电路，感觉挺实用的，做个记录。软件：LTspice二极管串联以常用的5V/2A为例。常用二极管串联在电路中，在电源反接时，二极管承担所有的电压，有效防止电源反接损坏后级设备。但是，二极管上压降较大，损耗较高。使用肖特基二极管可以减小损耗，但是仍对电路有较大影响，特别是在电源电压更低的情况下。反并二极管+保险丝使用反并二极管+保险丝，正常运行时基本没有损耗。在电源反接时，电源侧接近短路，保险丝熔断，从而实现保护。反接发生后，二极管和保险丝一般都需要更换。并且，输入反接时产生一个负压，后级设备还是有可能损坏。PMOS防反接电路基本电路基本的PMOS防反接电路，利用PMOS